超純水的水質(zhì)評(píng)價(jià)涉及電阻率、總有機(jī)碳、二氧化硅、硼、顆粒物、溶解氧、微生物等多項(xiàng)指標(biāo)，不同行業(yè)、不同工序?qū)Ω黜?xiàng)指標(biāo)的要求差異顯著。理解主流水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)的內(nèi)涵與指標(biāo)限值，是合理設(shè)計(jì)超純水系統(tǒng)、保障生產(chǎn)工藝穩(wěn)定的前提。

　　電阻率是超純水純度的核心指標(biāo)，反映水中導(dǎo)電離子的總含量。理論上，25攝氏度時(shí)絕對(duì)純水的電阻率為18.2兆歐厘米，這也是超純水設(shè)備追求的峰值。美國(guó)ASTM D5127標(biāo)準(zhǔn)將電子及半導(dǎo)體業(yè)用純水分為多個(gè)等級(jí)，其中Type E-1.2為較高等級(jí)，要求電阻率達(dá)到18.2兆歐厘米，同時(shí)對(duì)TOC、二氧化硅、硼、顆粒物等均有嚴(yán)格限值。

　　總有機(jī)碳是衡量水中有機(jī)物總量的指標(biāo)，單位通常為ppb。半導(dǎo)體芯片清洗對(duì)TOC要求嚴(yán)格，通常控制在5ppb以下，部分高端制程要求更低。TOC過(guò)高會(huì)在晶圓表面殘留有機(jī)污染物，影響光刻與蝕刻工藝的均勻性。光伏行業(yè)TOC要求相對(duì)寬松，通常控制在10ppb以下。制藥純化水藥典標(biāo)準(zhǔn)要求TOC不超過(guò)500ppb，實(shí)際生產(chǎn)中通常控制在更低水平。

　　硼與二氧化硅是超純水中較難去除的弱電解質(zhì)指標(biāo)。硼在水中以硼酸形式存在，常規(guī)反滲透與EDI對(duì)硼的去除效率有限，而硼會(huì)影響硅晶圓的摻雜濃度與電學(xué)性能。ASTM E-1.2標(biāo)準(zhǔn)要求硼含量不超過(guò)3ppt，部分高端制程要求更低。二氧化硅同樣難以徹底去除，標(biāo)準(zhǔn)要求不超過(guò)0.5ppb。

　　顆粒物指標(biāo)關(guān)注水中懸浮微粒的數(shù)量與粒徑分布。半導(dǎo)體清洗要求大于等于0.1微米的顆粒物控制在每毫升1個(gè)以下，終端超濾膜可截留0.05微米以上的顆粒物，有效保障顆粒指標(biāo)。溶解氧與二氧化碳屬于氣體指標(biāo)，溶解氧會(huì)導(dǎo)致不銹鋼管道腐蝕產(chǎn)生紅銹，二氧化碳溶于水降低pH與電阻率，真空脫氣膜可將兩者控制在較低水平。